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삼성전자, M램 기반 '인-메모리 컴퓨팅' 구현...저전력 AI 칩 저변 확대

AI타임스 2022. 1. 14. 16:19

M램으로 메모리에서 저장과 연산 모두 수행하는 칩 기술 개발
전력 소모 감소로 차세대 저전략 AI 칩 유력 기술로 평가
전력 이점 크지 않다는 M램 한계 '저항 합산'으로 극복
AI 계산에서 숫자 분류 98%·얼굴 검출 93% 정확도 기록

 

삼성전자가 세계 최초로 M램 기반 인 메모리 컴퓨팅을 구현했다고 밝혔다. (출처=셔터스톡, 편집=김동원 기자)

삼성전자는 자사 연구진이 자기저항메모리(MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory)를 기반으로 한 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다고 13일 밝혔다. 연구 결과는 12일(현지시간) 세계적인 학술지 '네이처(Nature)'에 게재됐다.

 

인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터 저장과 연산을 수행하는 칩 기술이다. 데이터 저장을 담당하는 메모리칩과 데이터 연산을 책임지는 프로세서 칩을 별도로 구성한 기존 폰노이만 방식과 달리, 메모리 안에서 두 기능을 병렬로 처리한다. 그만큼 전력 소모가 줄어들어 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 제작하는 유력 기술로 평가된다.

 

인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터 저장과 연산을 모두 수행하는 칩 기술이다. (출처=삼성반도체이야기)

이번 연구 성과는 M램의 한계를 극복했다는 점에도 의미가 크다. 시스템 반도체 공정과 접목해 대량 생산이 가능한 비휘발성 메모리인 M램을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현함으로써 차세대 저전력 AI 칩 기술의 지평을 확장했기 때문이다.

 

M램은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 불구하고, 낮은 저항값을 갖는 특성으로 인해 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않다고 평가됐다. R램(저항메모리, Resistive RAM)과 P램(위상변화메모리, Phase-change RAM)을 활용한 연구 성과가 많았던 반면, M램에 관한 성과가 적었던 이유도 여기에 있다.

 

삼성전자 연구진은 이러한 M램 한계를 기존 '전류 합산' 방식이 아닌 새로운 개념의 '저항 합산' 방식의 인-메모리 컴퓨팅 구조를 제안함으로써 저전력 설계에 성공했다고 밝혔다. 연구진은 M램 기반 인-메모리 컴퓨팅 칩의 성능을 인공지능 계산에 응용해 숫자 분류에서는 최대 98%, 얼굴 검출에서는 93%의 정확도로 동작하는 것을 검증했다.

 

연구진은 새로운 구조의 M램 칩을 인-메모리 컴퓨팅으로 활용할 뿐 아니라, 생물학적 신경망을 다운로드하는 뉴로모픽 플랫폼으로의 활용 가능성도 제기했다.

 

(왼쪽부터) 삼성전자 함돈희 펠로우, 정승철 전문연구원, 김상준 마스터. (출처=삼성전자)

이번 연구는 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다. 삼성전자 종합기술원, 반도체연구소, 파운드리사업부 연구원들도 공동으로 연구에 참여했다.

 

정승철 삼성전자 종합기술원 전문연구원은 "인-메모리 컴퓨팅은 메모리와 연산이 접목된 기술로, 기억과 계산이 혼재되어 있는 사람의 뇌와 유사한 점이 있다"며 "이번 연구가 향후 실제 뇌를 모방하는 뉴로모픽 기술의 연구 및 개발에도 도움이 될 수 있을 것"이라고 말했다.

 

AI타임스 김동원 기자 goodtuna@aitimes.com

 

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