'SOT-MRAM', 전력 소모 많아 늘 걸림돌 카이스트, 전력 낮추는 스핀소재 개발해 저전력 필수인 핸드폰·IoT 등 유용할 전망 '스핀궤도토크 자성메모리(SOT-MRAM)'에 드는 전력을 줄일 수 있는 스핀소재 기술이 나왔다. 속도와 안정성은 뛰어나지만 높은 에너지 소모가 걸림돌이었던 SOT-MRAM 한계를 보완할 수 있는 성과다. 향후 저전력이 필수인 핸드폰, 웨어러블 로봇, 사물인터넷(IoT)용 메모리로 유용하게 적용될 전망이다. 카이스트(총장 이광형)가 박병국 신소재공학과 교수와 이경진 물리학과 교수 공동연구팀이 고속 동작 비휘발성 메모리로 개발 중인 스핀궤도토크 자성메모리(SOT-MRAM) 에너지 소비 전력을 획기적으로 줄일 수 있는 스핀소재 기술을 개발했다고 27일 밝혔다. 스핀궤도토크 자성..