업계 최초 'HBM3' 개발, HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량 달성
초고화질 영화 163편 분량 데이터 1초 만에 처리
고성능 데이터센터, 머신러닝, 슈퍼컴퓨터 등에 사용
SK하이닉스가 인공지능(AI) 개발에 유용한 차세대 메모리 반도체 'HBM3'를 업계 최초로 개발했다. 이전 모델보다 데이터 처리 속도가 약 78% 빠르다. 용량도 업계 최대 수준인 24기가바이트(GB)까지 올렸다.
광대역폭 메모리라 불리는 HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. D램을 수직 적층 구조로 쌓기 때문에 그래픽 카드 크기도 줄일 수 있고 고용량으로 구현하기 수월한 장점을 지니고 있다.
이번에 SK하이닉스가 출시한 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E) 순으로 개발돼 왔다. 하이닉스는 3세대 HBM 모델을 지난해 7월 최초로 선보인 바 있다.
SK하이닉스에 따르면 HBM3은 속도 측면에서 초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있다. FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.
제품 신뢰도도 높아졌다. 이 제품에는 오류정정코드(On Die – Error Correction Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 오류 발생 가능성을 대폭 낮추었다.
이번 HBM3는 16GB와 업계 최대 용량인 24GB로 출시될 예정이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
SK하이닉스 측은 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.
HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재돼 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에 적용될 전망이다.
차선용 SK하이닉스 부사장은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
AI타임스 김동원 기자 goodtuna@aitimes.com
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SK하이닉스, AI 발전 이끌 4세대 HBM D램 개발...이전 모델보다 속도 78% 상승 - AI타임스
SK하이닉스가 인공지능(AI) 개발에 유용한 차세대 메모리 반도체 \'HBM3\'를 업계 최초로 개발했다. 이전 모델보다 데이터 처리 속도가 약 78% 빠르다. 용량도 업계 최대 수준인 24기가바이트(GB)까지
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